537.4/075/
А71


    Ансельм, А. И.
    Введение в теорию полупроводников: учеб. пособие для студ. вузов, обуч. по физ. и технич. напр. и специальностям [Текст] / А. И. Ансельм. - 3-е изд., стер. - СПб. : Лань, 2008. - 624 с. - 654.00 р.
УДК

Кл.слова (ненормированные):
Физика -- теория полупроводников -- кристаллическая решетка -- дифракция -- дифракция рентгеновских лучей -- теория групп -- симметрия кристаллов -- кристаллы -- колебания атомов -- электроны -- идеальные кристаллы -- функции Ванье -- локализованные состояния -- твердые тела -- свойства твердых тел -- электрические свойства -- тепловые свойства -- магнитные свойства -- оптика полупроводников -- кинетические уравнения

Экземпляры всего: 2
2к (2)
Свободны: 2к (2)

   552.6/075/
   Д 30


    Демина, Т. Я.
    Основы кристаллографии [Текст] : учебное пособие для студентов, обучающихся по программам направления "Прикладная геология", специальности "Химия" / Т.Я. Демина, Н.И. Шефер ; Мин-во образования и науки Рос. Федерации, ГОУ ВПО "Оренбург. гос. пед. университет. - 2-е изд., перераб. и доп. - Оренбург : ИПК ГОУ ОГУ, 2005. - 235 с. : ил. - ISBN 5-7410-0399-1 : б.ц. р.
УДК

Кл.слова (ненормированные):
КРИСТАЛЛОГРАФИЯ -- УЧЕБНОЕ ПОСОБИЕ ДЛЯ ВУЗОВ -- НАУЧНЫЕ ТРУДЫ ОГПУ -- КРИСТАЛЛЫ -- СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ -- КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ММНОГОГРАННИКИ -- ПРОСТРАНСТВЕННАЯ РЕШЕТКА -- ВЫРАЩИВАНИЕ КРИСТАЛЛОВ -- ГЕОМЕТРИЧЕСКАЯ КРИСТАЛЛОГРАФИЯ -- СИММЕТРИЯ КРИСТАЛЛОВ -- СИММЕТРИЯ -- КРИСТАЛЛОХИМИЯ
Аннотация: В учебном пособии, изложены основы классической кристаллографии, кристаллохимии и кристаллофизики. рассмотрены закономерности строения, возникновения и роста кристаллов, особенности кристаллического состояния материи, законы кристаллографии, морфология и симметрия реальных и идеальных кристаллов. Дана систематика типов внутреннегo cтроения, показаны способы его изображения. Охарактеризована симметрия в геологии с привлечением криволинейной симметрии, дисимметрии и антисимметрии. Основные положения кристаллохимии увязаны со строением вещества на атомном уровне с энергетикой кристаллов. Показаны способы искусственного получения кристаллов, приведено описание физических методов изучения кристаллических образований.


Доп.точки доступа:
Шефер, Н.И.
Экземпляры всего: 1
1к (1)
Свободны: 1к (1)